Samsung готовит массовую линию гибридной склеивания чипов D2W

24.07.2026, 15:18 expert.com.ua

Южнокорейский полупроводниковый гигант Samsung Electronics готовится к масштабной технологической трансформации своих фабов. По данным источников в отрасли, компания планирует приобрести 50 единиц оборудования для гибридной склеивания D2W (Die-to-Wafer) у ведущего нидерландского производителя Besi. Оборудование предназначено для оснащения новой массовой производственной линии на стратегическом заводе P5 в Пхентеке.

Примерная стоимость одного бондера серии Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC составляет 6 миллиардов вон (~$4,3 млн), что выводит совокупный бюджет потенциального соглашения на уровень 300 миллиардов вон (~$215 млн). Стороны согласовывают конструктивные кастомизации оборудования под собственные спецификации Samsung.

Переход на D2W-склеивание является критическим этапом эволюции передовой упаковки чипов:

⚡ Физические преимущества Hybrid Bonding: Традиционные микровыступы (micro-bumps) заменяются прямым медно-медным соединением (Copper-to-Copper). Это радикально сокращает вертикальное расстояние между слоями чипов в вертикальных стеках, существенно снижает задержки, уменьшает тепловыделение и повышает энергоэффективность.

🤖 Расчет под ШИ-ускорители будущего: Массовое внедрение гибридной склеивания станет обязательным стандартом для стеков памяти HBM4/HBM4E и сверхмощных ШИ-процессоров (XPU) следующего поколения, включая перспективную архитектуру NVIDIA Feynman.

⚖️ Диверсификация поставщиков (SEMES и Hanwha): Параллельно с переговорами с Besi, Samsung рассматривает более дешевые альтернативы (которые стоят вдвое меньше). Компания уже завершила тестирование оборудования собственной дочерней структуры SEMES и проявляет высокий интерес к решениям Hanwha Semiconductor.

Намерения Samsung Развернуть массовую линию из 50 гибридных бондеров на заводе P5 является стратегическим ходом в борьбе против TSMC и SK Hynix за рынок упаковки ШИ-чипов. Замена классических микровыступов на прямое медно-медное гибридное соединение (Bump-less Hybrid Bonding) позволит Samsung преодолеть тепловые и плотные барьеры при выпуске 16- и 20-слойных стеков памяти HBM4. Привлечение оборудования Besi в сочетании с локальными аналогами от SEMES и Hanwha позволит южнокорейскому гиганту заранее создать необходимую фабричную инфраструктуру для будущих заказов со стороны NVIDIA и других разработчиков XPU-архитектур.

Читать полностью…