Samsung разработала первую в мире 5-нм память MRAM
Южнокорейская компания Samsung Electronics официально закрепила статус технологического фаворита в сфере разработки памяти следующего поколения. На престижном международном симпозиуме IEEE VLSI 2026 компания впервые в мире продемонстрировала успешные результаты проектирования базовой структуры ячейки 5-нанометровой встроенной магниторезистивной памяти с произвольным доступом (embedded MRAM).
Анонс состоялся спустя всего четыре месяца после того, как в феврале на ISSCC 2026 Samsung верифицировала готовность 8-нанометрового узла. Компания уверенно двигается по своей долгосрочной b2b-стратегии, подтвердив намерение запустить полноценное массовое производство 5-нм MRAM уже в 2027 году.
Магниторезистивная память (MRAM) считается главным претендентом на роль «универсальной памяти» будущего благодаря уникальному сочетанию скорости DRAM и фундаментальных свойств энергонезависимости Flash:
Энергонезависимость (Non-Volatility): В отличие от классической оперативной памяти (DRAM), работающей на базе электрических конденсаторов и требующей постоянного принудительного обновления заряда микросхем каждые несколько миллисекунд, MRAM базируется на вариациях магнитного сопротивления в узлах MTJ (Magnetic Tunnel Junctions). Она способна надежно сохранять записанную информацию в выключенном состоянии почти неограниченное время, что полностью ликвидирует потери энергии в режиме ожидания (Standby Power).
Преодоление физического барьера: Традиционная встроенная флэш-память (eFlash/NOR-тип) полностью остановилась в масштабировании на уровне 28-22 нанометров из-за физической невозможности дальнейшего уменьшения изолирующих слоев. MRAM нативно преодолевает этот барьер, позволяя создавать сверхплотные чипы на базе передовых техпроцессов вплоть до 5 нанометров.
Представленная 5-нанометровая MRAM разрабатывалась с прицелом на жесткие b2b-требования автомобильной промышленности (автопилоты, системы помощи водителя ADAS, блоки управления электромобилями) и бортовых систем обработки ШИ-алгоритмов на грани вычислений (Edge AI).
Ключевым достижением инженеров Samsung стал беспрецедентный рабочий температурный диапазон кристалла от минус 40 °C до плюс 150 °C. Это полностью удовлетворяет жесткие критерии высшего мирового автомобильного стандарта надежности AEC-Q100.
Новинка демонстрирует колоссальную устойчивость к температурной деградации и износу во время агрессивных циклов перезаписи. Для сравнения, ранее выпущенная 8-нм версия eMRAM уже показала прирост скорости записи на 62,5% по сравнению с 14-нм поколением и рекордную плотность хранения на уровне 19,94 Мбит на квадратный миллиметр. В мае 2026 года чипы передового искусственного интеллекта на базе 8-нм MRAM от партнеров Samsung (стартапов SEMIFIVE и ICY Tech) успешно завершили финальную фазу проектирования и производства ленты (Tape-out), что подтверждает коммерческую жизнеспособность магнитной технологии.
Рынок передовой встроенной MRAM в 2026 году официально консолидировался в формате дуополии. По данным аналитического агентства Global Market Insights, Samsung удерживает первое место в мире с долей рынка 14,3%, а тайваньская TSMC дышит в спину с показателем 11.9%.
В борьбе за 5-нанометровый узел 2027 года компании избрали кардинально разные инженерные стратегии:
Стратегия Samsung: Последовательное, эволюционное движение через промежуточные архитектурные узлы. Компания плавно прошла этапы 28-нм, 14-нм, запустила 8-нм в массовое производство и теперь использует накопленный практический опыт кремниевых пластин как фундамент для 5-нм.
Стратегия TSMC: Радикальный скачок (Leapfrog). Тайваньский гигант валидировал технологию на уровне 12-нм, после чего принял решение полностью пропустить 8-нанометровый этап и сразу разрабатывать 5-нм структуру, пытаясь сэкономить на промежуточных расходах. Чья ставка окажется выигрышной – рынок увидит уже через год во время развертывания коммерческих заказов.
Для HiTech Expert мы делаем финальный стратегический результат: запуск 5-нм MRAM от Samsung Electronics – это закладка фундамента для автономного транспорта следующего десятилетия. Классическая архитектура компьютеров фон Неймана, где процессор постоянно гоняет гигабайты данных туда-сюда между отдельными платами логики и энергозависимой памяти, тратит слишком много времени и света. Энергонезависимая MRAM на 5 нанометрах позволяет реализовать концепцию вычислений непосредственно в памяти (In-Memory Computing). Умные автомобили и робототехника смогут мгновенно обрабатывать гигантские массивы данных из сенсоров и камер непосредственно во внутренних реестрах ШИ-чипа с нулевой задержкой.
С бизнес-точки зрения, феноменальная скорость смены узлов от 8-нм до 5-нм доказывает, что Samsung Foundry бросила все свободные R&D-ресурсы на это направление, чтобы опередить TSMC. Для украинского технологического сектора и участников национального ШИ-аудита от AI HOUSE этот тренд показывает вектор развития микроконтроллеров (MCU). Разрабатывая софт для Edge AI, умных систем учета или MilTech-дронов, уже сегодня следует учитывать, что железо переходит на энергонезависимые рельсы, где понятие "standby-энергопотребление" навсегда уходит в историю.
- Последние
- Популярные
Новости по дням
18 июня 2026
