Samsung раскрыла первые подробности о памяти HBM5: новые чипы для ИИ окажутся более чем на 50% быстрее
По официальным данным Samsung, новое поколение памяти сможет обеспечить прирост производительности более чем на 50% по сравнению с HBM4E. Добиться такого результата планируется благодаря применению современного 2-нм техпроцесса и усовершенствованной конструкции микросхем.
О новых разработках рассказал руководитель направления технологического развития контрактного производства Samsung Гу Джахум.
По его словам, память HBM5 будет обрабатывать данные более чем на 50% быстрее по сравнению с HBM4E.
Основные улучшения включают:
Именно базовый кристалл служит основой, на которой располагаются несколько слоев DRAM-памяти. Переход на более современный техпроцесс позволит уменьшить энергопотребление и одновременно увеличить скорость передачи данных.
Одной из ключевых особенностей новых микросхем станет использование фирменной 2-нм технологии Gate-All-Around (GAA).
В отличие от традиционных транзисторов FinFET, архитектура GAA обеспечивает более точный контроль над электрическим током, снижает утечки энергии и позволяет размещать больше транзисторов на той же площади кристалла.>
Кроме того, Samsung планирует модернизировать технологию Through-Silicon Via (TSV), которая отвечает за соединение нескольких слоев памяти.
Компания намерена сделать соединения между слоями DRAM более плотными, что позволит дополнительно увеличить скорость обмена данными между микросхемами.
Высокоскоростная память HBM сегодня считается одним из ключевых элементов современной инфраструктуры искусственного интеллекта.
Она используется в:
В отличие от обычной оперативной памяти, HBM представляет собой несколько вертикально объединенных слоев DRAM, что обеспечивает значительно более высокую пропускную способность при меньшем энергопотреблении.
Именно поэтому спрос на подобные микросхемы стремительно растет вместе с развитием генеративного искусственного интеллекта и крупных языковых моделей.
Разработка HBM5 — лишь часть более масштабной стратегии компании.
Samsung уже начала массовое производство микросхем первого поколения по 2-нм техпроцессу. Во второй половине текущего года производитель также рассчитывает приступить к выпуску новых мобильных процессоров на основе второго поколения 2-нм технологии, которое отличается улучшенным уровнем выхода годных кристаллов и повышенной производительностью.
Это позволит использовать единые передовые производственные решения как для серверных компонентов, так и для будущих мобильных устройств.
Рынок HBM сегодня остается одним из самых быстрорастущих сегментов полупроводниковой отрасли. Основными конкурентами Samsung являются SK hynix и Micron, которые также активно развивают память нового поколения для ускорителей искусственного интеллекта.
При этом именно способность выпускать современные микросхемы по 2-нм техпроцессу может стать одним из главных преимуществ Samsung в борьбе за заказы крупнейших разработчиков ИИ-чипов.
Увеличение скорости более чем на 50% по сравнению с HBM4E способно сделать HBM5 одной из наиболее производительных технологий памяти на рынке после начала ее коммерческого производства.
Хотя память HBM5 не предназначена для обычных смартфонов или персональных компьютеров, подобные технологии косвенно влияют и на потребительскую электронику. Развитие более производительных ИИ-серверов ускоряет обучение нейросетей, которые затем используются в мобильных устройствах, облачных сервисах и современных приложениях.
Для украинских пользователей это означает дальнейшее развитие сервисов на базе искусственного интеллекта — от интеллектуального поиска и генерации контента до более мощных облачных инструментов, которыми ежедневно пользуются миллионы людей. Рост производительности серверной памяти помогает ускорить обработку данных и повысить эффективность подобных платформ.
Источник: sammobile
- Последние
- Популярные
Новости по дням
28 июля 2026
